N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 71A Leistung : 45W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±16V Widerstand im Leitungszustand : 5.7mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N03MSGATMA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 71A Leistung : 45W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±16V Widerstand im Leitungszustand : 5.7mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
- 型号:
- BSC057N03MSGATMA1
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 71A Leistung : 45W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±16V Widerstand im Leitungszustand : 5.7mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N03MSGATMA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 71A; 45W; PG-TDSON-8
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 71A Leistung : 45W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±16V Widerstand im Leitungszustand : 5.7mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
Artikel-Nr.: 2805-BSC057N03MSGATMA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: BSC057N03MSGATMA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 71A Leistung : 45W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±16V Widerstand im Leitungszustand : 5.7mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
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