NZH3V6B,115 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- NZH3V6B,115
- 型号:
- NZH3V6B,115
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产品介绍
NZH3V6B,115 齐纳二极管
Z-Diode NZH3V6B,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-123F NXP Semiconductors Zener-Spannung 3.6 V Leistung max. (Ptot) 500 mW
NZH3V6B,115
Technische Daten Type NZH3V6B,115 Manufacturer NXP Semiconductors Manuf. Code NXP Category Z-Diode Z voltage (U Z ) 3.6 V Z voltage tolerance +5 %, -5 % Max. power 500 mW Impedance 60 Ω Impedance reference 20 mA U F 900 mV Forward voltage reference 10 mA Operating temperature (min.) -55 °C Max. operating temperature +150 °C Configuration einfache Diode Residual reverse leakage current 5 µA Residual reverse leakage current reference 1 V U z (max.) 3.8 V U z (min.) 3.4 V Enclosure SOD-123F Mounting type Oberflächenmontage
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