TOSHIBA东芝 GT50J325(Q) 晶体管-产品快照
- 品牌:
- TOSHIBA
- 型号:
- GT50J325(Q)
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产品介绍
TOSHIBA东芝 GT50J325(Q) 晶体管
Toshiba GT50J325(Q), 50 A 600 V, 3-Pin TO-3PLH
Toshiba
IGBT Discretes, Toshiba IGBT Discretes & Modules, Toshiba The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device. ; Maximum Continuous Collector Current 50 A; Maximum Collector Emitter Voltage 600 V; Maximum Gate Emitter Voltage ±20V; Package Type TO-3PLH; Mounting Type Through Hole; Channel Type N; Pin Count 3; Configuration Single; Length 20.5mm; Width 5.2mm; Height 26mm; Dimensions 20.5 x 5.2 x 26mm; Maximum Operating Temperature +150 °C; Minimum Operating Temperature -55 °C;
IGBT Transistors
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