Infineon BCV26E6327 晶体管

Infineon BCV26E6327 晶体管-产品快照

品牌:
Infineon
型号:
BCV26E6327

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产品介绍

Infineon BCV26E6327 晶体管

Infineon BCV26E6327 PNP Darlington Transistor, 500 mA 30 V HFE:20000, 3-Pin SOT-23

Infineon

Darlington Transistors, Infineon Bipolar Transistors, Infineon ; Transistor Type PNP; Maximum Continuous Collector Current 500 mA; Maximum Collector Emitter Voltage 30 V; Maximum Emitter Base Voltage 10 V; Package Type SOT-23; Mounting Type Surface Mount; Pin Count 3; Configuration Single; Number of Elements per Chip 1; Minimum DC Current Gain 20000; Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.5 V; Maximum Collector Base Voltage 40 V; Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1 V; Maximum Collector Cut-off Current 10µA; Width 1.3mm; Maximum Power Dissipation 360 mW; Length 2.9mm; Height 0.9mm; Dimensions 2.9 x 1.3 x 0.9mm; Maximum Operating Temperature +150 °C;

Darlington Transistors

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