BZV55-C3V9,115 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- BZV55-C3V9,115
- 型号:
- BZV55-C3V9,115
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产品介绍
BZV55-C3V9,115 齐纳二极管
Z-Diode BZV55-C3V9,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF NXP Semiconductors Zener-Spannung 3.9 V Leistung max. (Pt
BZV55-C3V9,115
Technische Daten Type BZV55-C3V9,115 Manufacturer NXP Semiconductors Manuf. Code NXP Category Z-Diode Z voltage (U Z ) 3.9 V Z voltage tolerance +5 %, -5 % Max. power 500 mW Impedance 90 Ω Impedance reference 5 mA U F 900 mV Forward voltage reference 10 mA Operating temperature (min.) -65 °C Max. operating temperature +200 °C Configuration einfache Diode Residual reverse leakage current 3 µA Residual reverse leakage current reference 1 V U z (max.) 4.1 V U z (min.) 3.7 V Enclosure SOD-80 MiniMELF Mounting type Oberflächenmontage
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