TDZ18J,115 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- TDZ18J,115
- 型号:
- TDZ18J,115
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产品介绍
TDZ18J,115 齐纳二极管
Z-Diode TDZ18J,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323F NXP Semiconductors Zener-Spannung 18 V Leistung max. (Ptot) 500 mW
TDZ18J,115
Technische Daten Typ TDZ18J,115 Hersteller NXP Semiconductors Herst.-Abk. NXP Kategorie Z-Diode Z.-Spg. (U Z ) 18 V Z.-Spg. Toleranz +2 %, -2 % Leistung (max.) 500 mW Impedanz 20 Ω Impedanz Referenz 5 mA U F 1.1 V Durchlassspannung Referenz 100 mA Betriebstemperatur (min.) -55 °C Betriebstemperatur (max.) +150 °C Konfiguration einfache Diode Rest-Sperrstrom 50 nA Rest-Sperrstrom Referenz 12.6 V Z.-Spg. max. 18.4 V Z.-Spg. min. 17.6 V Gehäuse SOD-323F Montageart Oberflächenmontage
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