PDZ9.1B,115 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- PDZ9.1B,115
- 型号:
- PDZ9.1B,115
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产品介绍
PDZ9.1B,115 齐纳二极管
Z-Diode PDZ9.1B,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-323 NXP Semiconductors Zener-Spannung 9.1 V Leistung max. (Ptot) 400 mW
PDZ9.1B,115
Technische Daten Typ PDZ9.1B,115 Hersteller NXP Semiconductors Herst.-Abk. NXP Kategorie Z-Diode Z.-Spg. (U Z ) 9.1 V Z.-Spg. Toleranz +2 %, -2 % Leistung (max.) 400 mW Impedanz 10 Ω Impedanz Referenz 5 mA U F 1.1 V Durchlassspannung Referenz 100 mA Betriebstemperatur (min.) -65 °C Betriebstemperatur (max.) +150 °C Konfiguration einfache Diode Rest-Sperrstrom 500 nA Rest-Sperrstrom Referenz 6 V Z.-Spg. max. 9.3 V Z.-Spg. min. 8.9 V Gehäuse SOD-323 Montageart Oberflächenmontage
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